IGBT（Insulated-gate bipolar transistor）是一种三极管，它的结构是在常规的NPN或PNP型三极管的基底层上加上了一个可控硅层（即绝缘层），并且在硅层上沿用了MOS管的构造方法。这个可控硅层的作用是使得三极管的放电电流可以通过电荷控制来控制，也就是说它可以在低电流的情况下控制大电流的输出。
IGBT有两种模式：开漏和导通。在开漏模式下，IGBT的控制端（gate）与基底端（emitter）之间的电压小于基底端与收集端（collector）之间的电压，这时候IGBT就处于开路状态，从收集端到基底端流过的电流就会极小。在导通模式下，IGBT的控制端与基底端之间的电压大于基底端与收集端之间的电压，这时候IGBT就处于导通状态，从收集端到基底端流过的电流就会极大。
IGBT的优点在于它具有高电流输出能力和低损耗，因此它广泛用于电力控制领域，如逆变器、变频器和电动机驱动系统等。