体效应二极管（Field Effect Transistor, FET）是一种电子晶体管，它通过控制一个电场来控制电流的流动。与普通的晶体管相比，体效应二极管有较高的阻抗和较低的功耗。体效应二极管有三个端子：源端（source）、汇端（drain）和控制端（gate）。控制端与源端之间的结构称为沟道，它是电流流动的区域。
当控制端电压较低时，沟道中的电子能量有所升高，从而使得沟道电阻增大，这样就会减少电流流动。当控制端电压升高时，沟道中的电子能量降低，从而使得沟道电阻减小，这样就会增加电流流动。因此，通过控制控制端电压，可以控制源端和汇端之间的电流流动。
体效应二极管有几种不同的类型，包括场效应管（JFET）、金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和双极性场效应管（P-channel MOSFET和N-channel MOSFET）。这些类型的体效应二极管具有不同的特性，可以应用于不同的电子设备中。