IGBT（Insulated-gate bipolar transistor）是一种电子晶体管，它具有场效应晶体管（MOSFET）和普通的双极型晶体管（BJT）的特点。它在高压和高功率应用中很常见，例如电力转换和控制系统。
IGBT的工作原理是，通过在晶体管的晶体管基极和源极之间施加电压来控制电流的流动。当电压施加在晶体管的绝缘门上时，它可以控制通过晶体管的电流的大小。当电压施加在晶体管的源极时，电流就会通过晶体管流动。在这种情况下，IGBT就处于导通状态。当电压施加在晶体管的基极时，电流就不会流动，IGBT就处于非导通状态。
IGBT还具有双极型晶体管的特点，因此它也可以用来放大信号。它的主要优点是高压和高功率应用中的高效率和低损耗。它的缺点是在高频应用中的较低带宽和比较复杂的控制要求。