多发射极晶体管（MESFET）是一种半导体晶体管，它的工作原理类似于普通的晶体管，但是它的发射极由发射极电流控制而不是电压控制。这意味着MESFET的电流流过发射极的强度取决于控制电流的强度，而不是电压。
MESFET的结构基本上是一个金属氧化物半导体（MOS）管，其中发射极由一个缩小的金属接触构成。当控制电流流过发射极时，它会产生一个电场，这个电场会影响到MOS管中的电子流动，从而控制MESFET的输出电流。
MESFET的主要优点是其高电流增益和低功耗。它的缺点是较低的电压增益和较低的频率响应。因此，MESFET通常用于低频应用，例如无线电频道放大器和低功耗数字电路。