场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体电子器件，其工作原理与普通的晶体管类似，都是通过控制门电流来控制通道电流的流动。不同的是，在FET中，门电流是通过一个独立的电极——门极——来控制的，而不是像普通晶体管那样通过接地电路来控制。
FET有两种基本类型：极控场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。
JFET是一种由n型半导体材料制成的FET，其中门极是由p型半导体材料制成的。在JFET中，门极与源极和漏极之间的距离很短，因此门极上的电荷可以直接控制通道电流的流动。
MOSFET是一种由p型半导体材料制成的FET，其中门极是由金属或其它导电材料制成的。在MOSFET中，门极与源极和漏极之间的距离很长，因此门极上的电荷不能直接控制通道电流的流动。但是，当门电压升高时，它会产生电场，使得通道电流增加。因此，MOSFET又被称为“触发式场效应管”。