IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种双极型绝缘栅极可控硅，它是由一个N沟道场效应晶体管和一个P沟道场效应晶体管组成，其中N沟道晶体管的极性与P沟道晶体管的极性相反。IGBT的工作原理是，当IGBT的栅极电压达到一定的阈值时，IGBT的N沟道晶体管就会导通，此时IGBT就会从关断状态转变为导通状态，从而使IGBT的P沟道晶体管也导通，从而使IGBT的输出端电流增大，从而实现IGBT的功率控制。
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