IRF640是一种N-MOSFET(N型场效应管),它具有较高的电流增益和较低的漏电流。它的工作原理是,当在源极和漏极之间施加一个正向电压时,在源极和漏极之间就会形成一个电场,这个电场会使漏极的电子流动,从而使漏极的电流增加,从而使源极的电流减少。
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IRF640是一种N-MOSFET(N型场效应管),它具有较高的电流增益和较低的漏电流。它的工作原理是,当在源极和漏极之间施加一个正向电压时,在源极和漏极之间就会形成一个电场,这个电场会使漏极的电子流动,从而使漏极的电流增加,从而使源极的电流减少。